ТМ-3Г, ТМ-3Д

транзистор ТМ3Г

Маломощные германиевые n-p-n транзисторы для этажерочных микромодулей. Кристалл корпусирован в металлический герметизированный колпачок, устанавливаемый на микромодульной плате, с выводами, распаянными к пазам.
Также они (в выводном исполнении) выпускались под названием М3Д-3 и ТМ-3Д-3. Справочный листок и данные из отраслевого каталога на них.

Германиевые транзисторы ТМ-3 изготавливаются из дырочного германия методом вплавления. В качестве электродного материала используются шарики из сплава олово-сурьма. Такая технология обеспечивает предельные частоты усиления по току до 10 МГц. Транзистор ТМ-3 является электрическим аналогом транзистора ТМ2, отличаясь от него только другой полярностью.

Металло-стеклянная конструкция транзистора состоит из коваровой "ножки", имеющей два металло-стеклянных впая для вывода электродов транзистора и медного колпачка. Герметизация корпусов микротранзисторов осуществляется "холодной" сваркой. При изготовлении микромодульного транзистора прибор в металло-стеклянном корпусе монтируется на керамической плате. С целью предотвращения растрескивания стекла при монтаже выводы микротранзисторов на плате сделаны двухзвеньевые.

Разработчик их - московский НИИ-35 "Пульсар"; опытное производство началось в 1961 году. Разработка, по всей вероятности, производилась совместно с НИИ-131 (НИИ Радиоэлектроники, ныне часть НПО "Ленинец") на базе кристаллов транзисторов П11 - "... 9. Изготовление полупроводниковых приборов типов П11 ... в микроминиатюрном исполнении по технологии НИИ-131, разработка которой будет закончена в 1 квартале 1961 г."

В дальнейшем их передали на Новгородский завод им. Ленинского комсомола (ныне АО "Планета").

   Завершение истории этих транзисторов - "Мы собирали только М3 и ТМ3. К 1988 году выпуск был практически прекращён, но ещё 2-3 года в них была потребность, поэтому транзисторы перепроверялись, ставили маркировку текущего года и отгружали потребителям (в очень небольших количествах, конечно)."

транзистор ТМ3Г

транзистор ТМ3Д

транзистор ТМ3Г

Источники:

1. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 5-е. "Техника", 1970.
2. Основы микроэлектроники и технологии производства микросхем (Учебное пособие). Московский институт электронной техники. 1971.
3. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 6-е. "Техника", 1971.
4. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том XI. Транзисторы. Издание второе. - Министерство электронной промышленности СССР. Научно-исследовательский институт.
5. Верхопятницкий П.Д. Конструирование судовой автоматики на микромодулях. Л., "Судостроение", 1971.
6. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
7. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, - М.: Энергоатомиздат, 1985.

домой