Предпоследний тип микромодульных транзисторов первой очереди. Это маломощные и низковольтные кремниевые диффузионные n-p-n транзисторы, относительно среднечастотные - рабочий диапазон до 30 МГц. Справочный листок и заводской паспорт на них.
Основное преимущество кремния - более высокая допустимая температура, что сразу видно по параметрам, ТМ10 могут работать до +120°С, в то время как германиевые образцы лишь до +73°С.
Любопытно, что в справочниках середины 60-х годов разбивка на группы (по коэффициенту усиления) выглядела так - ТМ10, ТМ10А, ТМ10Б, ТМ10В. В заводском паспорте 1969 года добавлены варианты вплоть до "Ж". А в поздних каталогах исполнения "без буквы", "Г", "Д", "Е", исчезли.
При этом способ разбраковки у ТМ10Ж отличается от остальных - коэффициент передачи ограничен только снизу. Видимо, к 80-м годам технологию производства отшлифовали, и все транзисторы стали получаться со стабильно высоким качеством. Можно предположить, что ТМ10Ж должен был заменить собой все остальные группы.
Производитель - Воронежский завод полупроводниковых приборов.
Интересный экземпляр. Номерной, залитый в корпус, возможно уже с какой-то обвязкой?
 |
 |
 |
 |
Источники:
1. Цымбалюк В.С., Крюков Ю.Г., Грибов Э.Б. Миниатюризация приёмоусилительной аппаратуры. Издательство "Связь", Москва, 1968.
2. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 5-е. "Техника", 1970.
3. Основы микроэлектроники и технологии производства микросхем (Учебное пособие). Московский институт электронной техники. 1971.
4. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 6-е. "Техника", 1971.
5. Верхопятницкий П.Д. Конструирование
судовой автоматики на микромодулях. Л., "Судостроение", 1971.
6. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
7. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, - М.: Энергоатомиздат, 1985.