308ая серия

Тонкопленочные наборы резисторов для делителей напряжения в измерительной аппаратуре.

КМ308НР1-1 КМ308НР2 К308НР3 (К)308НР4 К308НР5А,Б К308НР6

КМ308НР1-1

Производитель - ПО "Позистор", г.Абовян (Армения).

 

Последовательный делитель напряжения (7 резисторов).

Разработан пензенским НИИ ЭМП по ОКР "Днепр" (сдана во II квартале 1976г.), установочная партия выпущена абовянским заводом "Сириус" в IV квартале 1976 года.

Справочный листок здесь.

 

КМ308НР2

Последовательный делитель напряжения (4 резисторов).

Разработан совместно с 308НР1 пензенским НИИ ЭМП по ОКР "Днепр" в 1976 году.

Справочный листок на него.

Производитель - ПО "Позистор", г.Абовян (Армения).

К308НР3

Декодирующая двоично-десятичная резисторная матрица. Разработана совместно с 308НР1 и 308НР2 пензенским НИИ ЭМП по ОКР "Днепр" в 1976 году.

Технические подробности - здесь.

Производитель - ПО "Позистор", г.Абовян (Армения).

(К)308НР4

Делитель напряжения для электронно-измерительной техники. Копия паспорта здесь.

Производители - ПО "Позистор", г.Абовян (Армения) и питерское ЛНПО "Позитрон".


(фото с форума "Портативное ретрорадио")

К308НР5А, Б

Производители - ПО "Позистор", г.Абовян (Армения) и питерское ЛНПО "Позитрон".

Делитель напряжения для электронно-измерительной техники.

Справочный лист на нее.


(фото с форума "Портативное ретрорадио")

К308НР6

   микросхема К308НР6Делитель напряжения для электронно-измерительной техники.

   Он изначально проектировался для входных узлов вольтметров В7-** ( к примеру, в вольтметре В7-38) чтобы расширить их входные диапазоны измерения напряжения до 1 кВ. Применялся же фактически и во многих иных узлах и изделиях, в силу своей массовости. 

   Справочный листок и информационый лист от НИИЭМП на него.

   Производители - ПО "Позистор", г.Абовян (Армения) и питерское ЛНПО "Позитрон".

   Внутри делитель содержит матрицу из шести прецизионных резисторов на единой керамической подложке, выполненных однородным слоем резистивного материала за 1 техпроцес, для выравнивания отношения ТКС резисторов между собой. Отбраковка матриц осуществлялась по ТКО 10ppm/°C.

   Резисторы в ходе изготовления подгонялись лазером максимально близко к номинальным значениям.

микросхема К308НР6
(фото с Персональной странички Ампернута)

микросхема К308НР6
(фото Сергея Фролова)

микросхема К308НР6
(фото Сергея Брылева)

Источники:

1. Каталог интегральных микросхем. Том 1. Центральное конструкторское бюро. 1986.
2. Резисторы: Справочник / В. В. Дубровский, Д. М. Иванов, Н. Я. Пратусевич и др.; Под общ ред. И. И. Четверткова и В. М. Терехова. - М.: Радио и связь, 1987.
3. Резисторы: Справочник/В. В. Дубровский, Д. М. Иванов, Н. Я. Пратусевич и др.; Под ред. И. И. Четверткова и В. М. Терехова. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1991.
4. Нефедов А. В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3.— М.: КУбК-а, 1997.

домой