Состоит из единственной микросхемы, выполненной по пленочной технологии. Разработчиком её был зеленоградский НИИ Элпа.
Очень интересная и малоизвестная микросхема - матрица-накопитель сегнетоэлектрического (!) ЗУ. Она представляет собой энергонезависимую память, хранение информации в которой осуществляется путём изменения поляризации отдельных участков пьезокерамической пластины.
Эта технология сейчас на Западе пользуется большой популярностью, но я никогда не слышал о серийных отечественных разработках такого типа, тем более столь ранних. Возможно, это цитата именно про эту микросхему - "Одними из первых устройств этого типа были сегнетоэлектрические ЗУ, изготовленные на поликристаллической сегнетокерамике типа цирконата - титаната свинца (PZT-керамика)."
Производитель - Волгоградский завод пьезокерамических изделий ("Аврора").
 | |
| положительное - 120 В отрицательное - 60 В |
| |
| |
| |
| |
| |
| |
|
Микросхема 307РВ1 представляет собой матрицу сегнетоэлектрических
широкополосных пьезотрансформаторов, являющихся запоминающими элементами.
Сигналы с адресных числовых шин 6 подаются на входные электроды
5, общие электроды 7
подключены к экранирующей шине 8, а выходные электроды
9 подключены к шине нулевого потенциала.
Пьезокерамическая пластина 11 генераторной секции матрицы имеет жесткую поляризацию.
Участки сегнетоэлектрической пьезокерамики пластины
12 секции возбуждения,
расположенные между общим электродом и каждым из входных электродов, могут
иметь различную поляризацию, причем направление ее определено записанной
информацией.
Пьезокерамические пластины 11 и 12 механически объединены между собой
экранирующим электродом 7 в акустически монолитную конструкцию.
Перезапись информации осуществляется при помощи внешних устройств, вырабатывающих
напряжение поляризации, которое прикладывается к числовым
6 и экранирующей 8 шинам накопителя.
При этом участки пьезокерамики пластин 12, расположенные между электродами
5 и 7
матриц выбранного адреса, поляризуются в направлениях,
соответствующих коду записываемого
числа. В невыбранных адресах спонтанная (остаточная) поляризация участков
пьезокерамики пластин 12 остается неизменной.
Кроме того, благодаря выбору направления жесткой поляризации пьезокерамических
пластины 11 соответствующим полярности напряжения поляризации, в
процессе перезаписи информации остается неизменной и поляризация пластины
11.
Сохранность информации, записанной в накопитель, не зависит от времени и наличия питающих напряжений.
В режиме считывания информации на соответствующие выбранному адресу числовые шины
6 накопителя подается одиночный импульс тока считывания отрицательной полярности.
Одновременно на электроды 7 и 9 подается одиночный импульс тока той же амплитуда и
и длительности, но положительной полярности.
При этом на входных электродах 5, связанных с выбранной адресной шиной,
формируется отрицательный перепад напряжения (от U до 0), а на электродах
7, 9 - положительный перепад (от 0 до U).
Формирующийся на выбранных входных электродах перепад напряжений прикладывается к
участкам пьезокерамики пластины 12, которые вследствие явления обратного
пьезоэлектрического эффекта деформируются. Эта деформация передается
пьезокерамической пластине 11 и за счет прямого пьезоэлектрического эффекта на экранирующих
шинах 8 появляются нескомпенсированные электрические заряды.
Знак появившихся электрических зарядов на каждой из экранирующих шин определяется
направлением остаточной поляризации участка пьезокерамики пластины
12, расположенного
между выбранным входным 5 и общим 7 электродами матрицы, то есть информацией,
хранимой в выбранном запоминающем элементе.
Поскольку амплитуда напряжения U выбрана таким образом, что действие этого напряжения
не приводит к изменению усиления поляризации участков пьезокерамики пластин
12, то считывание не приводит к разрушению хранимой информации.
(фото Александра Назаренко)
Источники:
1. Каталог интегральных микросхем. Часть 1 (цифровые). Центральное бюро применения. 1976.
2. Авторское свидетельство СССР № 690564, кл. G 11 С 11/22, 1979.
3. Каталог интегральных микросхем. Часть 1 (цифровые).
Центральное конструкторское бюро. 1982.
4. Каталог интегральных микросхем. Том 1. Центральное конструкторское бюро. 1986.