Микромощные резистивно-транзисторные логические схемы. Изготовлены по совмещенной технологии
на кристалле кремния, с изоляцией элементов диффузионным переходом.
Предназначены для цифровых вычислительных машин и устройств дискретной автоматики
с малой потребляемой мощностью. Напряжение питания - плюс 4В.
Второе поколение отечественных интегральных логических микросхем, тема "Микроватт" (вместе с 113ой серией).
| Производитель - "Мезон", г.Кишинев (Молдавия)
Назначение - два элемента 4ИЛИ-НЕ. Старое название - К1ЛБ152. Справочный лист, а также данные из отраслевого каталога на неё. |
 |
Назначение - RS-триггер и элемент 2ИЛИ-НЕ. Используется, в частности в БЦВМ Аргон-16 (системы управления космических кораблей "Союз", "Прогресс").
Производитель - "Микрон", Зеленоград.
Корпус - прямоугольный металлостеклянный 401.14-2. Выводы: общий - 14; +Uи.п. - 9
Электрические параметры
 |
Потребляемая мощность, не более - 12,5 мВт |
|
Коэффициент разветвления - 4 |
|
Выходное напряжение высокого уровня, не менее - 0,78 В |
|
Выходное напряжение низкого уровня, не более - 0,20 В |
|
Время задержки распространения сигнала - не более 100 нс |
|
Выходной ток логической единицы - 285-500 мкА |
|
Входной ток логической единицы - не более 75 мкА |
|
Помехоустойчивость статическая, не менее - 0,15 В (как-то ...э... безобразно мало) |
Условия эксплуатации
|
Интервал рабочих температур - -60...+85 'С |
|
Многократное циклическое изменение температуры - -60...+85 'С |
|
Относительная влажность воздуха 98% при температуре +40 'С |
|
Атмосферное давление - 6,7х102...3х105 Па |
|
Вибрация |
|
Диапазон частот - 5-5000 Гц |
|
Ускорение - 40 g |
|
Многократные удары с ускорением 150 g |
|
Линейная нагрузка с ускорением 150 g |
|
Одиночные удары с ускорением 1000 g |
Теплофизические параметры
|
Максимально допустимая температура корпуса - 105 оС |
|
Теплоемкость - 0,7 Дж/К |
|
Тепловое сопротивление корпуса - 19 К/Вт |
Данные из отраслевого каталога на неё.
Источники:
1. Справочник по интегральным
микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., "Энергия", 1977.
2. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ.
ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977.
3. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
4. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.;
Под ред. Б.В. Тарабрина. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1981.
5. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 1. - М.: ИП
РадиоСофт, 2001.
6. Динамика радиоэлектроники/ Под общ. ред. Ю.И. Борисова - М.: Техносфера, 2007.