115ая серия

Микромощные резистивно-транзисторные логические схемы. Изготовлены по совмещенной технологии на кристалле кремния, с изоляцией элементов диффузионным переходом, и состоят из 14-20 компонент (6-8 активных и 8-12 пассивных элементов).

Серия предназначена для цифровых вычислительных машин и устройств дискретной автоматики с малой потребляемой мощностью. Напряжение питания +4 В.

Это второе поколение отечественных интегральных логических микросхем, тема "Микроватт" (вместе с 113ой серией). История её была коротка, в середине 70-х массовый выпуск закончился, дальше её производили малыми партиями для ремонта и комплектации ранее выпущенных изделий.

К115ЛЕ1

микросхема К115ЛЕ1

Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ, первоначально называлась К1ЛБ151.

Исходно микросхема разбраковывалась на три группы, 1ЛБ151А, Б, В (время задержки 300/200/100 нс, мощность потребления
0,75/1,15/1,7 мВт на элемент). К 1972 году их свели в один вариант (100 нс, 2,8 мВт).

Данные из отраслевого каталога на неё.

Производитель - "Мезон", г.Кишинев (Молдавия). Примечательно, что в конце 70-х потребовался выпуск невоенного варианта.

К115ЛЕ2

Назначение - два элемента 4ИЛИ-НЕ. Старое название - К1ЛБ152.

Справочный лист, а также данные из отраслевого каталога на неё.

Производитель - "Мезон", г.Кишинев (Молдавия)

115ТР1

Назначение - RS-триггер и элемент 2ИЛИ-НЕ. Используется, в частности в БЦВМ Аргон-16 (системы управления космических кораблей "Союз", "Прогресс").

Производители - "Мезон", г.Кишинев (Молдавия) и, в новом веке, зеленоградский "Микрон". Интересный вопрос, конечно, как там восстанавливали производство столь устаревшего элемента...

Корпус - прямоугольный металлостеклянный 401.14-2.

Электрические параметры

Потребляемая мощность, не более - 12,5 мВт
Коэффициент разветвления - 4
Выходное напряжение высокого уровня, не менее - 0,78 В
Выходное напряжение низкого уровня, не более - 0,20 В
Время задержки распространения сигнала - не более 100 нс
Выходной ток логической единицы - 285-500 мкА
Входной ток логической единицы - не более 75 мкА
Помехоустойчивость статическая, не менее - 0,15 В (как-то ...э... безобразно мало)

Данные из отраслевого каталога и заводской паспорт на неё.

Источники:

1.  Каталог интегральных микросхем. Часть 1 (цифровые). Центральное бюро применения. 1972-1973.
2.  Каталог интегральных микросхем. Часть 1 (цифровые). Центральное бюро применения. 1973-1974.
3. Справочник по интегральным микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., "Энергия", 1977.
4. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
6. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.; Под ред. Б.В. Тарабрина. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1981.
7. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 1. - М.: ИП РадиоСофт, 2001.
8. Динамика радиоэлектроники/ Под общ. ред. Ю.И. Борисова - М.: Техносфера, 2007.

домой