ФСД-1

фоторезистор ФСД-1

Первые лабораторные образцы фотосопротивлений из селенида кадмия были получены в конце 40-х годов в Германии (монокристаллические) и в 1951 году в Англии (слоистые). А в 1956 году в СССР были разработаны фотосопротивления из поликристаллического селенида кадмия, которые оказались весьма удобны для массового производства.

Технология их изготовления была создана Б.Т. Коломийцем (Ленинградский физико-технический институт АН СССР), и аналогична таковой для ФСК. Светочувствительный элемент представляет собой прессованную таблетку из порошкообразного селенистого кадмия. Диаметр её равен 8 мм, толщина 0,8...1 мм. Элемент вмонтирован в пластмассовый корпус с никелевыми штырьковыми электродами, рассчитанными на печатный монтаж.

 Пока нет сведений о начале их появления. Образцы от завода № 228 Тамбовского Совнархоза (ныне завод "Алмаз" им. 50-летия СССР") встречаются с 1965 года, в литературе - с 1962 года. Что и где было до того, неизвестно.

От иных типов фотосопротивлений селенисто-кадмиевые отличаются чрезвычайно высокой чувствительностью, на порядок выше, чем ФСК. Среднее значение кратности изменения сопротивления у ФСД равно 500, против 140 у ФСК.

Спектральная характеристика занимает видимую часть спектра, с заходом в ближний ИК до 1,22 мкм и максимумом в области 750 нм. Инерционность у них в 10 раз меньше, чем у ФСК и примерна равна таковой у ФСА.

К недостаткам ФСД можно отнести сильную температурную зависимость. Максимум чувствительности наблюдается при -60°С, с повышением температуры чувствительность падает (при +100°С - на 90%). Также температура сильно влияет на постоянную времени. При переходе от комнатной температуры к +70°С постоянная времени уменьшается в 1,5-2 раза., а при -60°С постоянная времени в 2-3 раза выше, чем при комнатной температуре.

Электрические параметры

постоянная времени - 40 мс
удельная чувствительность - не менее 20000 мкА/лм*В
интегральная чувствительность - 15 А/лм
предельное рабочее напряжение 200 В
темновое сопротивление  - 2 МОм
кратность изменения сопротивления - 2000
средний температурный коэффициент фототока -2 %/°
допустимая мощность рассеяния 0,05 Вт

Справочные данные на них из отраслевого каталога.

Светочувствительная рабочая площадка фоторезисторов ФСД-1 для защиты от загрязнений и механических повреждений покрывается тонким слоем поливинилацетатного лака. От проникновения влаги лаковая плёнка не защищает, поэтому эти фоторезисторы могут работать только в средах, где относительная влажность не превышает 80%.

фоторезистор ФСД-1

фоторезистор ФСД-1

Спектральная характеристика

фоторезистор ФСД-1

Вольт-амперные характеристики

при малых напряжениях

фоторезистор ФСД-1

в логарифмическом масштабе

фоторезистор ФСД-1

Световые характеристики

фоторезистор ФСД-1

в логарифмическом масштабе

фоторезистор ФСД-1

Зависимость постоянной времени от освещённости

фоторезистор ФСД-1

Время установления темнового тока

фоторезистор ФСД-1

Зависимость светового тока от напряжения

фоторезистор ФСД-1

Зависимость чувствительности от освещённости

фоторезистор ФСД-1

Зависимость постоянной времени от сопротивления нагрузки

фоторезистор ФСД-1

Люкс-амперные характеристики

фоторезистор ФСД-1

Зависимость темнового тока от температуры

фоторезистор ФСД-1

Зависимость фототока от частоты модуляции светового потока
(при 200 лк)

фоторезистор ФСД-1

Зависимость светового тока от освещённости рабочей площадки

фоторезистор ФСД-1

Фоновая характеристика

фоторезистор ФСД-1

Зависимость пробивного напряжения от освещённости

фоторезистор ФСД-1

Источники:

1. М.М. Гринштейн. Фотосопротивления в приборах промышленной автоматики. М.-Л. Госэнергоиздат, 1962 (Библиотека по автоматике, вып.49).
2. Булыга А.В. Полупроводниковые теплоэлектрические вакуумметры. М.-Л., издательство "Энергия", 1966 (Библиотека по автоматике, вып. 177).
3. Олеск А.О. Фоторезисторы. М.-Л., изд-во "Энергия", 1966 (Библиотека по автоматике, вып. 215).
4. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. четвертое, переработанное и дополненное. "Техника", 1966.
5. Расчет фотоэлектрических цепей. Под ред. С. Ф. Корндорфа. М., "Энергия", 1967.
6. П.В. Николаев, Ю.А. Сабинин. Фотоэлектрические следящие системы. Л., "Энергия, 1969 (Б-ка по автоматике. Вып. 345).
7. Сопротивления. Справочник. Том 1. ВНИИ "Электронстандарт", 1977.
8. Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. - М.: Сов. Радио, 1978.
9. Справочник конструктора оптико-механических приборов./В. А. Панов, М. Я. Кругер, В. В. Кулагин и др.; Под общ. ред. В. А. Панова. - 3-е изд., перераб. и доп. - Л.: Машиностроение, Ленингр. Отд-ние, 1980.
10. Резисторы. Справочник. Том III. ВНИИ "Электронстандарт", 1980.
11. Резисторы. Терморезисторы, термисторы, фоторезисторы, варисторы. РМ 11 074.022.3-85. Сборник справочных листов. Издание официальное. ВНИИ "Электронстандарт", 1986.
12. Ю.В. Зайцев и др. Полупроводниковые резисторы в электротехнике/ Ю.В. Зайцев, А.Н. Марченко, И.И. Ващенко.- М.: Энергоатомиздат. 1988.
13. Бараночников М. Л. Приемники и детекторы излучений. Справочник. - М.: ДМК Пресс, 2012.

домой